Galaxy S10 performansıyla adından söz ettirecek

Samsung, yeni nesil akıllı telefonlarda kullanılmak üzere geliştirdiği LPDDR5 RAM ve UFS 3.0 NAND depolama çiplerinin üretimine başlamaya hazırlanıyor. Bu yılın ikinci yarısından itibaren seri üretime geçecek olan çiplerin ilk olarak Galaxy S10’da kullanılması planlanıyor.
Yeni çiplerin Ağustos ayında tanıtılacak Galaxy Note 9’a yetişmeyeceği söylenirken, Şubat ayının sonlarına doğru düzenlenecek MWC 2019 Fuarı’nda tanıtılması beklenen Galaxy S10’da LPDDR5 RAM ve UFS 3.0 standartlarının yer alacağı konuşuluyor.

Halihazırda kullanılan LPDDR4 modüllerinden yüzde 10 daha performanslı çalışan LPDDR5 RAM yongaları, yüzde 15 daha az enerji tüketiyor. UFS 3.0 depolama standardına gelecek olursak, mevcut 2.1 standardına göre iki kat daha hızlı veri aktarımlarına ve enerji verimliliğine sahip UFS 3.0 teknolojisinin, pratikte 1.9GB/s okuma ve 400MB/s yazma hızlarına ulaşacağı tahmin ediliyor.
LPDDR5 RAM ve UFS 3.0 NAND modülleriyle birlikte 7nm üretim sürecinden geçen Exynos 9820 yonga seti, Galaxy S10’un performansını üst seviyelere çıkaracaktır.